Транзистор SIHG20N50C-E3
Цена:
112,04 ₽
Принимаем к оплате
ПОЗВОНИТЕ НАМ
Технические параметры
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 500
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270
- Емкость, пФ: 2942
- Заряд затвора, нКл: 76
- Описание: 500V, 20A N-Channel MOSFET
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 5 В
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Мощность: рассеиваемая — 250 Вт
- Вес брутто: 6.50
- Способ монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247-3
