Транзистор SIHG20N50C-E3

Цена: 112,04 
480 шт со склада в Москве

Принимаем к оплате

Технические параметры

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: N
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 500
  • Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270
  • Емкость, пФ: 2942
  • Заряд затвора, нКл: 76
  • Описание: 500V, 20A N-Channel MOSFET
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 5 В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
  • Мощность: рассеиваемая — 250 Вт
  • Вес брутто: 6.50
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247-3
Описание товара