ПН-СБ 09:00 - 15:00

+7 (964) 781-94-47 +7 (495) 220-18-23
Каталог
Как оформить заказ

Транзистор MJD127T4G

Цена: 11,84 ₽
9550 шт со склада в Москве

Принимаем к оплате

ПОЗВОНИТЕ НАМ

Технические параметры

  • Описание: Транзистор биполярный PNP; -100 В; -8 А; hFE 1000…20000; TO-252 (DPAK)
  • Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)
  • Тип проводимости: PNP
  • Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100
  • Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100
  • Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5
  • Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: -4
  • Максимальный постоянный ток коллектора, А: -8
  • Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 20
  • Коэффициент усиления hFE мин.: 1000
  • Коэффициент усиления hFE макс.: 20000
  • Граничная частота ft, МГц: 4
  • Вес брутто: 0.53
  • Способ монтажа: Поверхностный
Описание товара

MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.