Транзистор MJD117
Цена:
10,13 ₽
Принимаем к оплате
ПОЗВОНИТЕ НАМ
Технические параметры
- Описание: Транзистор биполярный PNP; -100 В; -2 А; hFE 500…12000; TO-252 (DPAK)
- Тип проводимости: PNP
- Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100
- Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100
- Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5
- Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: -3
- Максимальный постоянный ток коллектора, А: -2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1,5
- Коэффициент усиления hFE мин.: 500
- Коэффициент усиления hFE макс.: 12000
- Граничная частота ft, МГц: 25
- Вес брутто: 0.45
- Способ монтажа: Поверхностный
- Корпус: TO-252 (DPAK)
- Упаковка: REEL, 2500 шт.
Описание товара
MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500.
Комплементарная пара: MJD112
