ПН-СБ 09:00 - 15:00 
pks1ru@yandex.ru 
+7 (964) 781-94-47 Транзистор IRFBG30PBF
Цена:
68,31 ₽
1975 шт со склада в Москве
Информация о товареПринимаем к оплате
ПОЗВОНИТЕ НАМ
Технические параметры
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 1000
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 5
- Емкость, пФ: 980
- Заряд затвора, нКл: 80
- Описание: MOSFET 1000V N-CH HEXFET
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4В
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Время: задержки включения/ выключения — 25/ 29 нс
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) — 125 Вт
- Вес брутто: 2.82
- Способ монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
