ПН-СБ 09:00 - 15:00 
pks1ru@yandex.ru 
+7 (964) 781-94-47 Транзистор IPD122N10N3GATMA1
Цена:
86,19 ₽
2270 шт со склада в Москве
Информация о товареПринимаем к оплате
ПОЗВОНИТЕ НАМ
Технические параметры
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 12,2
- Емкость, пФ: 2500
- Заряд затвора, нКл: 26
- Описание: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 3,5 В
- Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
- Время: задержки включения/ выключения — 24/ 14 нс
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) — 94 Вт
- Вес брутто: 0.55
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: TO-252 (DPAK)
