ПН-СБ 09:00 - 15:00

+7 (964) 781-94-47 +7 (495) 220-18-23
Каталог
Как оформить заказ

Транзистор MJD45H11T4G

Цена: 20,13 ₽
1850 шт со склада в Москве

Принимаем к оплате

ПОЗВОНИТЕ НАМ

Технические параметры

  • Описание: Транзистор биполярный PNP; В; -8 А; hFE 40…; TO-252 (DPAK)
  • Тип проводимости: PNP
  • Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -80
  • Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5
  • Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: -1
  • Максимальный постоянный ток коллектора, А: -8
  • Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 50
  • Коэффициент усиления hFE мин.: 40
  • Граничная частота ft, МГц: 40
  • Вес брутто: 0.47
  • Способ монтажа: Поверхностный
  • Корпус: TO-252 (DPAK)
  • Упаковка: REEL, 2500 шт.
Описание товара

MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40.
Комплементарная пара: MJD44H11T4G