Транзистор MJD117

Цена: 10,13 
1550 шт со склада в Москве

Принимаем к оплате

Технические параметры

  • Описание: Транзистор биполярный PNP; -100 В; -2 А; hFE 500…12000; TO-252 (DPAK)
  • Тип проводимости: PNP
  • Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100
  • Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100
  • Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5
  • Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: -3
  • Максимальный постоянный ток коллектора, А: -2
  • Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1,5
  • Коэффициент усиления hFE мин.: 500
  • Коэффициент усиления hFE макс.: 12000
  • Граничная частота ft, МГц: 25
  • Вес брутто: 0.45
  • Способ монтажа: Поверхностный
  • Корпус: TO-252 (DPAK)
  • Упаковка: REEL, 2500 шт.
Описание товара

MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500.
Комплементарная пара: MJD112